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Samsung 9100 PRO 4 To
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Samsung 9100 PRO 4 To

SSD M.2 - PCI-Express 5.0 NVMe - Cache DRAM - Lecture max : 14 800 Mo/s - Ecriture max : 13 400 Mo/s - Mémoire TLC 3D
DESCRIPTION
  Samsung 9100 PRO 4 To (picto:1436)
SSD 9900 PRO 4 To

Le pouvoir d'exceller partout


Samsung 9100 PRO 4 To (image:2)

Les performances de la Gen5

Exploitez les performances maximales du PCIe 5.0. Vivez la révolution avec le SSD 9100 PRO en atteignant des vitesses séquentielles jusqu'à 14 800/13 400 Mo/s, 2 fois plus rapide que le 990 PRO. Gardez une longueur d'avance avec vitesses de lecture/écriture aléatoires jusqu'à 2 200K/2 600K IOPS, inatteignables par la Gen4.

Rapide et cool

Découvrez des performances optimales et économes en énergie grâce au contrôleur 5nm avancé, qui améliore l'efficacité énergétique jusqu'à 49% par rapport au 990 PRO. Restez stable avec les puissantes performances du PCIe 5.0. Oubliez la surchauffe même lorsque vous exécutez des programmes volumineux pendant longtemps.

Une endurance exceptionnelle

Profitez d'une performance durable. Avec 2 400 TBW d'endurance et une garantie limitée de 5 ans, la gamme 990 EVO Plus tire le meilleur parti de la technologie V-NAND.

Samsung Magician

Profitez d’un SSD magique. Les outils d’optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances possibles. C’est la manière simple et sûre de migrer toutes vos données pour mettre à niveau votre SSD Samsung. Protégez vos précieuses données, surveillez l’état de santé de votre disque et recevez les dernières mises à jour de micrologiciels.

Samsung 9100 PRO 4 To (image:3)

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FICHE TECHNIQUE

Fiche technique Samsung 9100 PRO 4 To

Ref Samsung: MZ-VAP4T0BW
Garantie constructeur : 5 ans
Garantie légale de conformité : 2 ans
Caractéristiques Techniques
Format
M.2 (Type 2280)
Capacité
4 To
Interface
NVMe (PCI-E 5.0 4x)
Mémoire
TLC 3D (V-NAND)
Cache DRAM
Oui
Contrôleur
Samsung In House
Débit en lecture
Jusqu'à 14 800 Mo/s
Débit en écriture
Jusqu'à 13 400 Mo/s
IOPS
  • Lecture : 2 200 000 IOPS
  • Écriture : 2 600 000 IOPS
Fonctionnalités
  • AES 256-bit Full Disk Encryption, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667)
  • S.M.A.R.T
  • TRIM
  • Auto Garbage Collection Algorithm
Endurance
2 400 TBW
Dimensions (L x H x P)
22.15 x 80.15 x 2.38 mm
Contact fabricant
  • Samsung
  • PO Box 12987 ? Dublin - Ireland
  • https://www.samsung.com
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