Qu'est ce que la V-NAND 3D et quelles sont ses différences avec les technologies existantes ?
L'architecture unique et innovantes de la mémoire flash V-NAND
3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser
les limites de densité, les performances et l'endurance de
l'architecture NAND traditionnelle.
Fabriquée en empilant 32 couches de cellules verticalement au lieu
de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace
horizontal fixe, la V-NAND 3D permet d'augmenter la densité ainsi
que les performances tout en limitant son empreinte.
Vitesses de
lecture / écriture sans précédent grâce à la technologie
TurboWrite
Grâce à la technologie TurboWrite de Samsung, vous obtenez des
performances optimales en matière de lecture et d'écriture et par
conséquent, vous maximisez votre utilisation informatique au
quotidien. En plus d'une expérience utilisateur 10% supérieure à
celle du 840 EVO*, vous obtenez également des vitesses d'écritures
aléatoires jusqu'à 1.9 fois plus rapides. Ceci est aussi valable
pour les modèles 120 / 250 Go**. Le 850 EVO offre les meilleures
performances en ce qui concerne les vitesses de lecture (540 Mo/s)
et d'écriture (500 Mo/s) séquentielles. De plus, vous obtenez des
performances aléatoires optimisées pour toutes les profondeurs de
file d'attente en cas d'utilisation d'un PC client.
*PCMark7 (250 Go) : 6700 (840EVO) > 7600 (850EVO) **Ecriture
aléatoire (profondeur de file d'attente : 32,120 Go) : 36 000 IOPS
(840EVO) > 88 000 IOPS (850EVO)
Passez à la
vitesse supérieure avec le RAPID mode amélioré
Accélérez vos performances à tout moment avec le logiciel Samsung
Magician qui offre le RAPID mode pour un traitement des données 2
fois plus rapides* au niveau du système. Pour ce faire, celui-ci
utilise la mémoire libre du PC (DRAM) comme stockage du cache.
Tandis que l'utilisation de la mémoire maximale en RAPID mode était
de 1 Go dans la version précédente du 840 EVO, le nouveau Magician
la fait passer à 4 Go dans le 850 EVO grâce à l'application d'une
mémoire dRAM de 16 Go.
Vous doublez également vos performances* dans toutes les
profondeurs de file d'attente aléatoires.
*PCMark7 RAW (250 Go) : 7 500 >15 000 (RAPID mode)
Endurance et
fiabilité, garanties renforcées par la technologie V-NAND
3D
Avec deux fois plus de TBW* comparé à la génération précédente du
840 EVO**, le 850 EVO offre une endurance et une fiabilité
garanties renforcées par une garantie de 5 ans, la plus élevée dans
ce secteur. Le 850 EVO augmente ses performances continues jusqu'à
30% de plus que celles du 840 EVO grâce à une dégradation des
performances réduite au minimum. Cela en fait l'un des appareils de
stockage les plus fiables***.
*TBW : Total Bytes Written **TBW
: 43 (840EVO) > 75 (850EVO 120 / 250 Go) , 150 (850EVO 500 Go /
1 To) ***Performances soutenues (250 Go) : 3300 IOPS (840EVO) >
6500 IOPS (850EVO), performances mesurées après un test d'écritures
aléatoires de 12 heures.
Utilisez votre
ordinateur plus longtemps grâce à une faible consommation d'énergie
renforcée par la V-NAND 3D
Le 850 EVO augmente considérablement la durée de vie de la batterie
de votre ordinateur portable grâce à un contrôleur optimisé pour la
V-NAND 3D. Ce contrôleur active à présent la fonction Device Sleep
pour une trés faible consommation de 2 mW. Grâce au fait que la
V-NAND 3D consomme deux fois moins d'énergie que la Planar NAND 2D,
le 850 EVO consomme désormais 25% d'énergie en moins que le 840 EVO
durant les opérations d'écriture*.
*Puissance (250 Go) : 3.2 watts
(840EVO) > 2.4 watts (850EVO)